CC1温度补偿型
CTI高介电常数型　
CS表面半导体型　
高压瓷介电容
说明:   
1.使用温度范围:-25℃～+85℃
2.静电容量：静电容量须在温度 20 ±2℃ 以
　　　　　　5Vrms max 测定，其中1类交瓷测试频率为 1±0.2KHZ 2类
            交瓷测试频率为 1±0.2KHZ.
3.损耗解正切tgδ：测试条件与静电容量相同
　　　　　　　SL :tgδ≤15×10-4   YL :tgδ≤40×10-4
　　　　　　　5E4:tgδ≤500×0-4   Bn :tgδ≤40×10-4
              2B4:tgδ≤500×0-4   2R4 :tgδ≤40×10-4
              2F4:tgδ≤500×0-4   2R4 :tgδ≤40×10-4
4.绝缘电阻：于端子间施加直海参500V的电压，时间为60±5秒
            I.R≥10000MΩ.
5.耐电压: 于端子间施加一直流电压2秒，应无不良(电流限于 ≤50mA以内)。
　　　　　　　1KV≤UR≤10KV UT=1.5UR+500V UR≥10KV UT=1.5UR